La crescente richiesta di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni ed efficienti dal punto di vista energetico spinge all’innovazione nei substrati. I substrati di Silicio Stirato su Isolante (sSOI) stanno diventando fondamentali per migliorare la velocità e l’efficienza dei chip, soprattutto nei nodi tecnologici avanzati come il 7nm FD-SOI. Il sSOI migliora la mobilità degli elettroni e consente prestazioni elevate mantenendo basso il consumo energetico, rendendolo ideale per applicazioni come 5G/6G, guida autonoma, intelligenza artificiale edge e dispositivi IoT.
Tuttavia, la produzione industriale di sSOI richiede un acceleratore dedicato per superare i limiti delle attuali linee pilota di ricerca. Questo acceleratore permetterà la produzione su larga scala, garantirà la qualità dei substrati e faciliterà la loro adozione nel settore europeo dei semiconduttori. Inoltre, promuoverà la collaborazione tra industria e ricerca, riducendo i rischi tecnologici e accelerando la commercializzazione. L’iniziativa contribuirà agli obiettivi europei di sovranità tecnologica e sostenibilità nel settore dei dispositivi ad alte prestazioni.