Chips JU - Acceleratore per substrati avanzati di silicio stirato su isolante

La crescente richiesta di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni ed efficienti dal punto di vista energetico spinge all’innovazione nei substrati. I substrati di Silicio Stirato su Isolante (sSOI) stanno diventando fondamentali per migliorare la velocità e l’efficienza dei chip, soprattutto nei nodi tecnologici avanzati come il 7nm FD-SOI. Il sSOI migliora la mobilità degli elettroni e consente prestazioni elevate mantenendo basso il consumo energetico, rendendolo ideale per applicazioni come 5G/6G, guida autonoma, intelligenza artificiale edge e dispositivi IoT.

Tuttavia, la produzione industriale di sSOI richiede un acceleratore dedicato per superare i limiti delle attuali linee pilota di ricerca. Questo acceleratore permetterà la produzione su larga scala, garantirà la qualità dei substrati e faciliterà la loro adozione nel settore europeo dei semiconduttori. Inoltre, promuoverà la collaborazione tra industria e ricerca, riducendo i rischi tecnologici e accelerando la commercializzazione. L’iniziativa contribuirà agli obiettivi europei di sovranità tecnologica e sostenibilità nel settore dei dispositivi ad alte prestazioni.

L’acceleratore proposto dovrebbe affrontare tutti i livelli dei passaggi tecnologici chiave necessari per portare i substrati sSOI alla scala industriale:

• Sviluppo di substrati sSOI di qualità industriale si concentrerà sull’ottenimento di una bassa densità di difetti, fondamentale per migliorare la mobilità degli elettroni e garantire dispositivi FD-SOI ad alte prestazioni al nodo da 7 nm. Ciò comporterà il perfezionamento delle tecniche di ingegneria dello stiramento, in particolare per introdurre uno stiramento globale uniforme in grado di bilanciare le prestazioni tra transistor NMOS stirati e PMOS rilassati.
• Garantire la compatibilità con la produzione attuale di semiconduttori, l’acceleratore perfezionerà l’integrazione e l’ottimizzazione dei processi. Questo includerà il miglioramento della crescita epitassiale, del bonding dei wafer e delle tecniche di riduzione dei difetti, per soddisfare i requisiti dei processi avanzati di produzione FD-SOI.

Infine, l’acceleratore promuoverà la collaborazione nell’intero ecosistema dei semiconduttori, lavorando con altre linee pilota e connettendosi a piattaforme di progettazione e centri di competenza, tra gli altri.

Possono partecipare al bando gli enti, pubblici o privati, dotati di personalità giuridica che abbiano sede in uno dei seguenti Paesi ammissibili:

• Stati membri dell'UE (compresi i paesi e territori d'oltremare (PTOM))
• Paesi non UE: i Paesi SEE elencati e i Paesi associati al Programma Digital Europe (elenco dei Paesi partecipanti).

Dotazione finanziaria complessiva: 30.000.000 Euro

Intensità dell’aiuto:

• Organizzazione a scopo di lucro ma non una PMI: 25%
• PMI (Piccola o Media Impresa a scopo di lucro): 35%
• Università/Altro ente (senza scopo di lucro): 35%

Contributo massimo dell’UE per partner (% del finanziamento totale dell’UE): 50%

Per i partner di uno Stato Partecipante che coordina i finanziamenti, possono applicarsi regole specifiche riguardo all’ammissibilità al finanziamento nazionale.

Pagina web per formulari e documenti

Bando

Allegati Generali

Q&A

CALL ID: DIGITAL-JU-Chips-2025-GFP-SSOI

Si consiglia di consultare regolarmente il sito web ufficiale del bando per gli aggiornamenti e le informazioni addizionali.